IXFN132N50P3 Módulo de transistor individual, 500V, 112A, SOT227B

Módulo de transistor individual, 500V, 112A, SOT227B, ±40V, marca IXYS Corporation.

Fabricante IXYS
Tipo de módulo transistor MOSFET
Estructura del semiconductor transistor individual
Tensión drenaje-fuente 500V
Corriente del drenaje 112A
Carcasa SOT227B
Montaje eléctrico atornillado
Polarización unipolar
Resistencia en estado de transferencia 39mΩ
Corriente del drenaje en impulso 330A
Poder disipado 1500W
Tecnología HiPerFET™, Polar™
Clase de canal enriquecido
Carga de puerta 250nC
Tiempo de disponibilidad 250ns
Tensión puerta-fuente ±40V
Montaje mecánico atornillado