IXDN75N120 Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W

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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	1.2kV
Corriente de colector	150A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Montaje	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	190A
Poder disipado	660W
Tecnología	NPT