IRFI4019HG MOSFET Dual, N-Canal-Canal, 8,7 A, 150 V, 5-Pin, TO-220

DESCRIPCIÓN

MOSFET, IRFI4019HG-117P, Dual, N-Canal-Canal, 8,7 A, 150 V, 5-Pin, TO-220 HEXFET

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	95 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	18 W
Configuración de transistor	Serie
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	10.63mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Serie	HEXFET
Altura	9.8mm
Ancho	4.83mm